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CVDは、膜材料が気体で供給され、気相の中で基板（基材）表面の化学反応により成膜が行われるため化学的気相成長(CVD: Chemical Vapor Deposition)と呼ばれます。
クロライドCVDは、膜の材料となる金属を塩化物として反応炉に供給し、基板上に結晶成長させるCVDの手法のひとつです。基板の結晶面を反映した場合のエピタキシャル成長を行う場合、エピタキシャルを強調してクロライドVPE(Chloride Vapor Phase Epitaxy）とも呼ばれています。
クロライドCVDは、主にGaAs、InP等Ⅲ‐Ⅴ族化合物の半導体デバイスの生産に用いられています。また窒化チタンの成膜に使われています。
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