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デュアルイオンビームスパッタリングは、イオンビームスパッタリングとイオンアシスト蒸着を組み合わせた成膜方法です。イオンビームスパッタリングは通常のスパッタリングのプラズマ放電に変えて、アルゴンのイオン銃を用いてターゲット材料をスパッタする方法で、高真空中でもスパッタが行えます。イオンのエネルギーは1keV程度の大きさです。
もう一台のイオン銃から成膜中の基板にイオンビーム等を照射します。イオンビームからの運動エネルギーが膜の質や緻密さや基板との密着性などを改善します。この時のイオンエネルギーは数eVの大きさです。
デュアルイオンビームスパッタリングは光学薄膜、耐蝕膜、工具、DLCなどの膜形成に利用されています。
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