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マグネトロンスパッタリングは負電極内部に磁石を図のように設置し、ターゲット表面から出てターゲット表面に入る磁場を形成させます。
この磁場とターゲットと陽極側に発生する電解が直交する部分にプラズマが発生します。陰極暗部は図のように磁石の中間がターゲットに近くなります。このためターゲットはプラズマの濃い部分が最も強くイオンで叩かれ、多く蒸発しターゲットは不均一な減り方をします。
しかし、プラズマを局所に閉じ込めているために電力が入れられ成膜速度を大きくすることが出来ます。
マグネトロンスパッタリングは半導体、液晶、電子部品、機械部品、その他最も幅広く利用されている真空成膜技術の一つです。
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